每个人的档案都包括基本信息、核心论文摘要、初步的“潜力评级”和简单的“风险备注”（如政治倾向不明、与西方联系过密、年龄过大思维可能固化等）。

祁同伟再次将自己关在办公室里。

他调来了这些学者最具代表性的论文全文（通过特殊渠道获取），利用自己穿越带来的知识储备和系统赋予的深刻理解力，

开始了高强度的阅读和思考。这不仅是技术评估，更是一场隔着纸页与遥远天才们的思想对话。

他看到了印度学者在有限元计算方面的奇思妙想，看到了巴西物理学家在强关联电子系统模拟上的独特进路，

也看到了埃及数学家对随机偏微分方程求解的精妙技巧……许多思想都让他眼前一亮，但似乎总是差了那么一点“决定性的火花”，或者其研究方向与芯片核心难题的契合度不够紧密。

直到他的目光，被一份来自波斯的档案牢牢吸住，再也无法移开。

档案照片上是一个戴着眼镜、面容清瘦、目光沉静的中年男子，眉宇间带着学者特有的专注，也有一丝不易察觉的、与环境格格不入的疏离感。

穆罕默德·罗斯塔姆（Mohammad Rostami）。

国籍：波斯。出生年月：1954年3月。现职：德黑兰大学，应用数学系，正教授。

档案中附上了他三篇被认为最具代表性的论文。

其中一篇发表于1993年、题为《基于自适应网格与变分原理的深亚微米MOSFET二维/三维耦合电热输运高效求解新算法》的论文摘要，让祁同伟的呼吸为之一滞。

MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）是芯片中最基本、最核心的器件。

其性能，尤其是在深亚微米尺度下，受到电场、热场、载流子输运等多种物理场的强烈耦合影响，

其建模和仿真一直是半导体行业的核心难题，计算量巨大，精度与效率难以兼得。

主流解决方案是依赖越来越强大的超级计算机，进行暴力数值计算。

而罗斯塔姆在这篇论文中，提出了一条截然不同的路径。

他摒弃了传统的、依赖精细网格划分的有限元或有限体积法，而是引入了一套基于“变分原理”和“自适应网格技术”的全新数学框架。