每个人面前，都放着一份不足二十页、却标注着最高密级的报告摘要，
以及一个用特殊防弹防磁材料制成的密封盒。
盒子里，是两片经过特殊处理、无法逆向工程的芯片样品——来自“汉芯”“破晓”行动的八十纳米SRAM芯片，
以及作为对比，通过特殊渠道获得的、国际上同期（1996年）某公司实验室发布的同类技术节点SRAM样品。
主持会议的是一位面容清癯、目光如渊的老者。
他没有寒暄，直接切入正题：“东西大家都看了，报告也读了。都说说吧。”
一位主管科技工业的领导人首先开口，语气带着难以抑制的激动：
“数据我已经让手下最顶尖的专家反复核验过了，没问题！
我们这颗用‘土法’攒出来的芯片，在核心的速度、功耗指标上，
与英特尔、三星实验室1996年发布的同类技术数据，基本处在同一水平线上！
甚至在访问时间的稳定性和低温工作特性上，还略有优势！”
他指着报告中的一页：
“看这里，他们特别测试了抗辐射性能和宽温域（-55°C 到 125°C）工作能力。
结果令人震惊！
在模拟的空间粒子辐射环境下，我们的芯片功能保持完好，而对比样品出现了大量软错误！
在极端高低温下，我们的芯片性能衰减也明显更小！
这说明什么？
说明我们的工艺和设计，在鲁棒性和可靠性上，有着巨大的潜在优势！
这不仅是民用，这直接关乎未来高可靠电子系统、航空航天、乃至国防装备的核心竞争力！”
另一位经济领域的负责人则眉头紧锁，手指敲着报告上关于投入成本的估算部分：
“同一水平线？甚至部分优势？
这我承认，很了不起，是奇迹。但代价呢？
根据报告里的描述，他们这套‘极限压榨’方案，良品率只有35%，
而且工艺极端脆弱，根本无法量产。
要建设一条完整的、稳定的八十纳米量产线，需要投入的资金是天文数字！
外汇、顶级设备、顶尖人才……我们现在搞1.2微米量产已经捉襟见肘，再压上八十纳米，万一……”